• 工程试验芯片(engineering die)和测试芯片(test die)：这些芯片与正式芯片不同，它主要用于对晶圆生产工艺单额电性能测试监控。 • 边缘芯片(edge die)：晶圆边缘残缺的芯片。这部分芯片占比越高产生的损耗就越大，晶圆尺寸增大可以减小边缘芯片的比例。