富士X-H2S是一台性能非常强大的APS-C画幅无反相机，它拥有2616万像素的成像能力，并且可以拍摄6.2K 30P 以及4K 60/120P超高清视频。配置了机身5轴防抖系统的X-H2S可以提供7档防抖效果。40张/秒的超高速连拍性能+智能AF系统，可以轻松锁定精彩瞬间。目前富士X-H2S在京东商城富士官方旗舰店的单机身售价是16700元。 这次富士X-H2S搭载的是APS-C画幅的X-Tra ...

近日，有外媒透露消息称松下可能会在今年2月正式发布全画幅无反新机Lumix S1R II，松下的S1R系列终于也要更新换代了。

索尼在此轮创新中采用了全新的堆叠式传感器结构，将CMOS图像传感器与深度传感器巧妙结合。其运行机制是，常规的彩色像素位于一个硅衬底上，通过新材料与新结构设计，使得可见光波长首先照射到CMOS图像传感器的彩色像素上，而近红外光则能够顺利照射到下方的深度 ...

佳能今日宣布了一项重大技术突破，成功开发出具有4.1亿像素（24592 x 16704）的全画幅背照堆叠式CMOS传感器。这一创新成果不仅刷新了35mm全画幅相机的像素纪录，更为监控、医学和工业等高分辨率需求领域带来了全新的解决方案。

👆如果您希望可以时常见面，欢迎标星🌟收藏哦~ 来源：内容编译自IEDM，谢谢。 编者按 在IEDM 2024上，SK海力士和美光就DRAM和NAND的未来发展分享了他们的各自观点，在本篇文章中，我们综合了两家的观点，以飨读者。

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦 ~ 对电子元件三维 ( 3D ) 集成的需求正在稳步增长。尽管存在巨大的加工挑战，硅通孔 ( TSV ) 技术仍是集成 3D 格式单晶器件元件的唯一可行方法。尽管单片 3D ( M3D：monolithic 3D ) 集成方案前景光明 ，但尚未证明无需中间晶圆即可无缝连接单晶半导体。这一挑战源于在低温下完成后端生产线工艺后，在非晶或多晶表面上生长单晶以保护底 ...

第三，难以与先进的逻辑工艺集成。比如说高k金属栅、FD-SOI、FinFET将对eFlash结构和CMOS兼容性产生影响，相反，新型存储例如MRAM、RRAM，结构几乎不受 ...

一般来说，超高像素 CMOS 传感器的尺寸通常为中画幅或更大 ... 这款产品采用了先进的背照堆叠式设计，并通过优化像素和信号处理结构设计，实现了每秒 32.8 亿像素的超快读取速度（全像素 8FPS）。 其他方面，这款产品还支持四像素合一，从而提高感光度 ...

颠覆性设计与技术 佳能的这款传感器采用了先进的背照堆叠式设计，即在传统CMOS传感器基础上，对像素结构和信号处理进行了创新优化。这种设计 ...

传闻好久的Leica SL3-S终于在日前正式发布，除了配备全新背照式全画幅CMOS，以及新一代快速自动对焦和显著提升的动态形象功能，建议售价NT$168,500。 徕卡SL3-S搭载全新2,400万像素背照式全画幅CMOS，具备4,800万像素和9,600万像素Multi-Shot高分辨率模式，以及全新自动对焦系统。坚固的全金属外壳经IP54认证，保护相机不受外界条件影响。此外，徕卡SL3-S集 ...