锡基钙钛矿材料凭借其低空穴有效质量和高迁移率，在高性能P沟道薄膜晶体管领域展现出巨大的应用潜力。然而，锡基钙钛矿薄膜的溶液加工仍面临一系列挑战，尤其是在结晶过程的精确控制和复杂缺陷态形成方面。锡基材料易氧化、结晶速率较快，且由此产生的高缺陷密度，使得在不同实验室环境下可靠制备高质量锡基钙钛矿薄膜成为一大难题。

集成电路的持续发展在很大程度上依赖于新材料的整合。从诸如二维材料和碳纳米管等新型沟道材料，到用于存储器应用的先进铁电材料以及新型互连材料，半导体行业不断探索和开发创新解决方案，以克服缩放难题并提升器件性能。

随着英特尔迈向又一次重大变革——从 FinFET 转向 RibbonFET（更通俗的说法是纳米片晶体管）—— IEEE Spectrum向 Ghani 询问迄今为止最危险的变革是什么。在这个设备整个架构都发生改变的时代，他的回答有些令人惊讶，那就是早在 2008 年就引入的一项变革，从外观上看，晶体管与以前非常相似。

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦 ~ 对电子元件三维 ( 3D ) 集成的需求正在稳步增长。尽管存在巨大的加工挑战，硅通孔 ( TSV ) 技术仍是集成 3D 格式单晶器件元件的唯一可行方法。尽管单片 3D ( M3D：monolithic 3D ) 集成方案前景光明 ，但尚未证明无需中间晶圆即可无缝连接单晶半导体。这一挑战源于在低温下完成后端生产线工艺后，在非晶或多晶表面上生长单晶以保护底 ...

IT之家1 月 22 日消息，佳能今日宣布开发出具有 4.1 亿像素（24592 x 16704）的全画幅背照堆叠式 CMOS 传感器，这也是 35mm 全画幅相机中最高纪录。 大家这里只看数字的话对于 4.1 亿像素可能没什么概念，不过我们可以把它当作 24K 分辨率来理解，其像素数约为 FHD 的 ...

在手机相机传感器领域，长期以来，索尼半导体站在金字塔塔尖。 IMX766、IMX700、IMX890、IMX989、LYT-818、LYT-900...... 索尼曾推出过数款经典又能打的传感器产品。 虽说在最近两年，索尼受到了国产厂商的冲击，但仍然是诸多大旗舰机的首选。 对比之下，同样身为传感器巨头的三星，日子就过得比较差了。

【CNMO科技消息】近日，CNMO注意到，有海外媒体对即将发布的奥之心“OM-3”的消息进行了汇总。 OMSYSTEMOM-1 据传闻，OM-3在配置上也将以OM-1为基础进行 ...

习近平总书记在二十届中央纪委四次全会上发表重要讲话强调：“新时代新征程，必须坚持用改革精神和严的标准管党治党，努力取得更大成效，确保党的二十大和二十届三中全会部署落地落实，确保党始终成为中国特色社会主义事业的坚强领导核心，推动中国 ...

1000亿晶体管的芯片也不会是终点，实际上苹果M1Ultra也不是唯一的千亿芯片 ... IBM表示，五十多年来，计算机处理器一直在以惊人的速度提升性能、缩小尺寸，而且如今已经完全依赖于CMOS工艺技术，但随着摩尔定律逐渐接近极限，传统方法很快就会走到尽头 ...

(3)系统复杂程度和可靠性。采用CMOS图像传感器可以大大地简化系统硬件结构。 (4)非破坏性数据读出方式。 (5)优化的曝光控制。值得注意的是，由于在像元结构中集成了多个功能晶体管的原因，CMOS图像传感器也存在着若干缺点，主要是噪声和填充率两个指标 ...

近日，芬兰阿尔托大学（Aalto University）、芬兰ElFys公司与德国联邦物理技术研究所（Physikalisch-Technische Bundesanstalt）联合研发了一种基于锗（Ge）材料的CMOS兼容型纳米工程PIN光电二极管，标志着近红外探测技术的重大进步。 该新型锗PIN光电二极管在室温下 ...