每当摩尔定律遭遇困境，总会有新的技术及时出现并引领着摩尔定律继续前行。 半导体技术资深专家Ramalinga Reddy Kotapati在最近的工作中探索了从 FinFET 到 Gate-All-Around (GAA) 架构的突破性转变。本文深入探讨了重塑先进节点物理设计和实现的创新策略，为业内专业人士和研究人员提供了宝贵的见解。他的工作强调了在克服现代半导体缩放挑战时对先进方法的迫切需求。

2025年1月16日，深圳尚阳通科技股份有限公司正式申请了一项名为“SiC FinFET器件及其制造方法”的专利，该专利于2024年9月递交，公开号为CN119300410A。这项技术的创新点在于其对栅介质层的优异保护能力以及提升沟道载流子迁移率的潜力，代表着半导体行业的一次重要进步。

金融界2025年1月29日消息，国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司取得一项名为“FinFET的寄生电容测试结构和方法”的专利，授权公告号CN 114038835 B，申请日期为2021年10月。 天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年 ...

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采用这种结构的晶体管就被称为全包围栅极(GAA)晶体管，目前已经出现多种该类晶体管的变体。 早期的GAA器件使用垂直堆叠纳米薄片的方法，即将水平放置的薄片相互分开地置入栅极之中。相对于FinFET，这种方法下的通道更容易控制。而且不同于FinFET必须并排 ...

由于难以保障工艺的稳定性，漏电现象会愈发明显，功耗也会变大。 也有声音称，此次5nm芯片出现功耗问题，意味着FinFET工艺结构将不再适用于5nm芯片制程。用于3nm工艺节点的GAA工艺结构，有望提前被用在5nm芯片中。 自英特尔于2011年首次推出基于FinFET结构的22nm ...

随着半导体制程技术的持续进步，晶片微缩已达到物理极限，传统的光刻技术面临挑战。在此背景下，原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD）技术因其薄膜沉积精度，成为推动半导体微缩的关键技术之一。

我们预计中国大陆2027年在全球12寸成熟制程晶圆代工的市场份额将提升至47%，建议关注中国大陆企业份额提升的投资机会。先进制程竞争格局更为 ...

2023年9月，许多人为“光刻厂”的构想喜大普奔。据说中国可以另辟蹊径，不是用一台台的光刻机，而是用加速器做一个巨大的光源，可以供28 nm、14 nm、7 nm、5 ...

DeepSeek发布了2025年半导体行业的十大预测，涉及工艺制程、先进封装、AI芯片、智驾芯片、量子计算、硅光芯片等多个领域。这些预测为行业提供了有价值的参考，但具体结果仍需根据未来实际情况判断。