每当摩尔定律遭遇困境，总会有新的技术及时出现并引领着摩尔定律继续前行。 半导体技术资深专家Ramalinga Reddy Kotapati在最近的工作中探索了从 FinFET 到 Gate-All-Around (GAA) 架构的突破性转变。本文深入探讨了重塑先进节点物理设计和实现的创新策略，为业内专业人士和研究人员提供了宝贵的见解。他的工作强调了在克服现代半导体缩放挑战时对先进方法的迫切需求。

在移动芯片领域，能够实现规模化生产的工艺与技术是保持竞争优势的关键。近日，韩国媒体《TheBell》报道了三星电子的Exynos 2600开发进展，表明该公司正在全力以赴确保这一先进SoC的按时量产。尤其是其采用的最先进2nm工艺（SF2）在试生产阶段已经实现了约30%的良率，这一数据超出了预期。

由于难以保障工艺的稳定性，漏电现象会愈发明显，功耗也会变大。 也有声音称，此次5nm芯片出现功耗问题，意味着FinFET工艺结构将不再适用于5nm芯片制程。用于3nm工艺节点的GAA工艺结构，有望提前被用在5nm芯片中。 自英特尔于2011年首次推出基于FinFET结构的22nm ...

随着半导体制程技术的持续进步，晶片微缩已达到物理极限，传统的光刻技术面临挑战。在此背景下，原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD）技术因其薄膜沉积精度，成为推动半导体微缩的关键技术之一。

我们预计中国大陆2027年在全球12寸成熟制程晶圆代工的市场份额将提升至47%，建议关注中国大陆企业份额提升的投资机会。先进制程竞争格局更为 ...

2023年9月，许多人为“光刻厂”的构想喜大普奔。据说中国可以另辟蹊径，不是用一台台的光刻机，而是用加速器做一个巨大的光源，可以供28 nm、14 nm、7 nm、5 ...

通过改变晶体管更为复杂的栅极结构，从而减少晶体管落漏电现象，提升芯片的性能和能效表现。 3nm方面，台积电依旧采用的是FinFET技术，但三星 ...

半导体行业的持续进步令人惊叹，但这还不够。 半导体行业并非建立在一夜之间的突破之上。 它是在巨大的进步飞跃基础上发展起来的，年复一年地积累，其发展速度可能超过历史上任何其他行业。国际电子器件制造会议（IEDM）是芯片制造商展示这一进展的关键平台之一。会议论文主题涵盖从具有商业相关性的，到那些最终可能具有商业相关性的，以及其他一些可能不具备商业相关性但依然很有趣的技术领域。 半导体50 多年来增量增 ...

闳康(3587)2025年1月合併营收为3.89亿元，年减3.03%，继名古屋与熊本后，闳康科技北海道实验室于1月正式启用，预期此实验室的成立，将能就近服务客户，满足由AI驱动已建置的材料分析(MA)与后续即将视市场需求而逐步 ...

这种技术旨在实现芯片尺寸仅为传统芯片的四分之一，能耗减少一半，同时结构更加简化。EFINIX公司相信，这种技术将推动人工智能和深度学习的发展，使数据处理更加高效。 川土(Chipanalog)公司的发展小趣事 2022年，川土微电子的CA-IS3062W产品荣获了中国IC设计 ...