2025年1月29日，上海华力集成电路制造有限公司（以下简称“上海华力”）取得了一项重要专利，名为“鳍结构表面氧化层均匀化的方法”，这项技术将为半导体行业，特别是在氮化镓和硅基材的处理过程中，提供更为先进的技术支持。该专利的授权公告号为CN114121673B，申请日期为2021年11月。

2025年1月16日，深圳尚阳通科技股份有限公司正式申请了一项名为“SiC FinFET器件及其制造方法”的专利，该专利于2024年9月递交，公开号为CN119300410A。这项技术的创新点在于其对栅介质层的优异保护能力以及提升沟道载流子迁移率的潜力，代表着半导体行业的一次重要进步。

为了解决这个问题，华人科学家胡正明在1999年提出了“鳍式场效应晶体管”架构，也就是FinFET。在这个结构中，栅门被设计成了类似鱼鳍状的3D结构 ...