近期，长鑫存储技术有限公司申请的名为“CMOS器件及其形成方法”的专利引发了行业的广泛关注。这项专利的公开号为CN119364851A，申请日期为2023年7月，旨在提高CMOS器件的集成度。随着现代电子设备对性能和空间的不断追求，CMOS（互补金属 ...

集成电路的持续发展在很大程度上依赖于新材料的整合。从诸如二维材料和碳纳米管等新型沟道材料，到用于存储器应用的先进铁电材料以及新型互连材料，半导体行业不断探索和开发创新解决方案，以克服缩放难题并提升器件性能。

这种被称为“低温CMOS晶体管”的新型晶体管经过优化，可在1 K以下的温度下工作，并发出接近零的热量。 一种新型晶体管几乎可以零散热，这将使 ...

这种被称为“低温CMOS晶体管”的新型晶体管经过优化，可在1 K以下的温度下工作，并发出接近零的热量。 一种新型晶体管几乎可以零散热，这将使 ...